Услуга покупки мосфетов для коммутации цепей

Основное преимущество MOSFET заключается в том, что он почти не требует входного тока для управления током нагрузки по сравнению с биполярными транзисторами (транзисторы с биполярным переходом / BJT).В улучшенном режиме MOSFET напряжение, подаваемое на клемму затвора, увеличивает проводимость устройства.В транзисторах с режимом обеднения напряжение, приложенное к затвору, снижает проводимость [2].

«Металл» в названии MOSFET иногда используется неправильно, потому что материалом затвора может быть слой поликремния (поликристаллического кремния).Точно так же «оксид» в названии также может быть неправильным, поскольку для получения прочных каналов с меньшими приложенными напряжениями используются различные диэлектрические материалы.

МОП-транзистор на сегодняшний день является наиболее распространенным транзистором в цифровых схемах, поскольку миллиарды могут быть включены в микросхему памяти или микропроцессор.Поскольку полевые МОП-транзисторы могут быть изготовлены из полупроводников как p-, так и n-типа, комплементарные пары МОП-транзисторов можно использовать для создания коммутационных схем с очень низким энергопотреблением в виде КМОП-логики.

Основной принцип такого транзистора был впервые запатентован Юлиусом Эдгаром Лилиенфельдом в 1925 году.[1]
Структура, напоминающая МОП-транзистор, была предложена учеными Bell Уильямом Шокли, Джоном Бардином и Уолтером Хаузером Браттейном во время их исследования, которое привело к открытию транзисторного эффекта.Структура не показала ожидаемых эффектов из-за проблемы поверхностного состояния: ловушки на поверхности полупроводника, удерживающие электроны неподвижно.В 1955 году Карл Фрош и Л. Дерик случайно нарастили слой диоксида кремния поверх кремниевой пластины.Дальнейшие исследования показали, что диоксид кремния может предотвратить диффузию примесей в кремниевую пластину.Опираясь на эту работу, Мохамед М. Аталла показал, что диоксид кремния очень эффективен в решении проблемы одного важного класса поверхностных состояний.
Вслед за этим Аталла и Давон Кан продемонстрировали устройство, имеющее структуру современного МОП-транзистора.Принципы, лежащие в основе устройства, были такими же, как и те, которые пробовали Бардин, Шокли и Браттейн в их безуспешной попытке построить устройство поверхностного полевого эффекта.
Устройство было примерно в 100 раз медленнее, чем современные биполярные транзисторы, и изначально считалось худшим.Тем не менее Канг указал на несколько преимуществ устройства, в частности простоту изготовления и его применение в интегральных схемах.